Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 17 октября
 
 


Это интересно!

Ранее

Московский международный LED Forum 2013: это «конец старого света»

VII Московский международный форум по светодиодным технологиям в освещении (LED Forum) прошел 6 ноября 2013 года в ЦВК «Экспоцентр» в рамках выставки Interlight Moscow 2013. Он предоставил уникальную возможность познакомиться с самыми последними тенденциями и разработками в области светодиодного освещения, обменяться мнениями и получить рекомендации от представителей мировых лидеров отрасли.

Курс на деофшоризацию душит российский бизнес

Политика «национализации элит» и деофшоризации экономики привела к увеличению налоговой нагрузки, усложнению отчетности и росту количества случаев необоснованной блокировки счетов компаний, рассказали предприниматели на Всероссийском налоговом конгрессе в ТПП.

Промсектор: чуда в ноябре не будет

Предпринимательская уверенность в ноябре третий месяц подряд упала по двум из трех видов предпринимательской деятельности, обследуемым Росстатом.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

27 ноября 2013

SK Hynix покупает лицензию BeSang на 3D ИС

Мировой гигант полупроводниковой памяти получит лицензию на то, что BeSang называет техпроцессом «True 3D IC» («истинных 3D ИС»). Соглашение выходит за рамки микросхем памяти и охватывает системные ИС и, в перспективе, даже фаундри-бизнес.

К

омпания SK Hynix Inc. (г. Ичхон, Южная Корея) получила лицензию на технологию 3D-чипов от компании BeSang Inc (г. Бивертон, штат Орегон, США). SK Hynix, которая выпускает преимущественно микросхемы DRAM и флеш-памяти, получит лицензию на то, что BeSang (по корейски означает «летящий высоко») называет техпроцессом «True 3D IC» («истинных 3D ИС»).

Патентно-лицензионное соглашение с SK Hynix предусматривает передачу технологии, включая платные обновления на пятилетний период, но не предусматривает сотрудничества. К тому же, соглашение не является эксклюзивным, позволяя BeSang заключать подобные сделки с другими производителями ИС.

Технология 3D ИС от BeSang формирует единый кристаллический слой с подложкой-донором и затем создает второй активный слой поверх стандартного слоя активных устройств на кремниевой подложке, используя традиционные межслойные переходы для их взаимосвязи. (по данным BeSang).
На рисунке: слева сверху вниз: активные устройства в верхнем слое, металлические межсоединения, активное устройство на подложке; посредине: кристаллический кремний, промежуточный слой диэлектрика, кремниевая подложка; справа вверху: кремниевые столбики трехмерных транзисторов (SGT).

SK Hynix специализируется на DRAM, NAND флеш-памяти, твердотельных накопителях (SSD) и светочувствительных матрицах, однако соглашение выходит за рамки микросхем памяти и охватывает системные ИС и в перспективе, даже фаундри-бизнес. По заявлению BeSang, она продемонстрировала, что техпроцесс 3D ИС работает не только с DRAM, но и с широким рядом интегральных схем, включая ЦПУ, ЦСП, графические процессоры, специализированные ИС, FPGA, СнК, NAND флеш-память, SRAM и светочувствительные матрицы.

Принцип работы

BeSang была основана в 2008 г. исполнительным директором Санг-Юн Ли (Sang-Yun Lee), который работал над усовершенствованием своего техпроцесса 3D ИС вместе с бывшим инженером Samsung Джунил Паркс (Junil Parks), разработчиком первой установки осаждения атомарного слоя для диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью. Новаторский процесс BeSang не требует применения TSV (сквозные межсоединения в кремниевой подложке) для изготовления многослойных 3D ИС.

«Несколько слоев устройств могут последовательно накладываться поверх имеющихся устройств с помощью традиционного полупроводникового оборудования, – рассказал Джунил Паркс (Junil Parks), старший вице-президент и руководитель исследований и разработки в BeSang, в эксклюзивном интервью для EE Times. – В отличие от других технологий 3D ИС, технология «True 3D IC» BeSang может быть реализована в низкотемпературных технологических операциях, которые не повлияют на схемы в нижних слоях».

Технология 3D ИС BeSang использует донорскую подложку структуры n-p-n, чтобы  отделить область полупроводников (на рисунке обозначен как Dr. SEM), для того чтобы добавить активные слои поверх традиционной КМОП логической ИС (синяя), использующей трехмерные транзисторы с окружающим затвором (зеленые). Поверх них показаны накопительные конденсаторы (красные) для 3D DRAM. (по данным Besang).
На рисунке:
Шаг 1. Слева: принимающая подложка. Справа: неровная верхняя поверхность покрыта диэлектрической пленкой, внизу – кремниевая подложка.
Шаг 2. Слева: подложка донор. Справа: поверхность подложки донора, отделенная область полупроводников, кремниевая подложка.
Шаг 3. Формирование слоя 3D устройства без центрирования подложки. Слева: закрепление. Справа: отделение вдоль области полупроводников, формирование слоя устройств.
Для увеличения нажмите на картинку

Технология BeSang работает так: сначала изготавливается стандартная подложка КМОП-логики и затем покрывается слоем защитного диэлектрика. Для изготовления нескольких слоев памяти поверх слоя логики подложка-донор с тремя слоями легированного кремния (n-p-n) устанавливается поверх сборки без необходимости в центрировании. Затем n-p-n-слой вытравливается с идеально центрированными вертикальными n-p-n-каналами для трехмерных транзисторов с затвором окружающего типа (SGT), которые соединяются с нижним слоем логики традиционными межслойными переходами. Далее для получения окружающего затвора осаждается металл или поликремний с помощью низкотемпературного процесса.

В завершение, изготавливаются конденсаторы поверх каждого транзистора 3D ИС, таким образом, превращая их в ячейки DRAM, надстроенные над логическими чипами. Повторяя операции с еще одним защитным диэлектрическим слоем и донорской подложкой, можно добавлять любое количество слоев DRAM поверх логического чипа.

«С помощью техпроцесса BeSang можно достичь плотности полупроводников в 1 миллион межсоединений на миллиметр, по сравнению с 10 тысячами межсоединений на миллиметр для ярусных ИС, использующих TSV, и всего 100 межсоединениями на миллиметр для ярусных корпусов», – заявил Паркс.

В применении к DRAM, технология 3D ИС от BeSang позволит увеличить плотность DRAM без необходимости уменьшать размеры элементов, что является большим преимуществом для производителей памяти, сталкивающимися с физическими ограничениями на дальнейшее уменьшение элементов. Выпуск 3D DRAM компанией SK Hynix может начаться уже в 2014 г.

Читайте также:
Представлен первый техпроцесс для производства по-настоящему трехмерных микросхем
Samsung и Hynix продолжают лидировать на DRAM-рынке
IHS: NAND флеш-память переходит на 3-D и в 2015 г. займет более 30% всего рынка флеш-памяти
Чипы памяти подорожали на 42% из-за пожара на фабрике SK Hynix в КНР
Xilinx и TSMC начали серийное производство 28-нм 3D ИС
Toshiba построит фабрику по производству 3D NAND-памяти
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
История о том, как Micron осваивает новую DRAM-память
Globalfoundries реализовала технологию 3D-TSV на 20 нм

Источник: EE Times

R. Colin Johnson, EE Times. Перевод: Валерий Передерий

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты