Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 19 ноября
 
 


Это интересно!

Ранее

Февральские доходы Realtek выросли на 20% от прошлого года

Производитель ИС для сетевого оборудования Realtek Semiconductor сообщил о получении в феврале доходов в сумме 2,25 млрд НТД (новых тайваньских долл., 74,31 млн долл. США), что на 13,1% меньше от предыдущего месяца, но на 21,6% больше по сравнению с прошлым годом.

В 2014 г. индустрия солнечных батарей перейдет к рынку, ориентированному на поставщика

За последние три года цены на смонтированные фотоэлектрические системы, цены на модули и затраты на производство модулей упали более чем на 50%. В то же время встряска для неконкурентоспособных производителей солнечных батарей привела к снижению числа производителей с 250 в 2010 г. до 150 в 2013 г.

Altera откажется от заказов на 14-нм фабе Intel в пользу 16-нм FinFET TSMC

По сообщению китайскоязычной газеты Commercial Times, Altera обратится к Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) для изготовления нового поколения своих чипов FPGA с использованием недавно запущенного 16-нм техпроцесса FinFET+ компании TSMC, вместо производства чипов по 14-нм технологии Tri-Gate от Intel.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

12 марта 2014

Samsung начинает серийный выпуск 20-нм чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит

Компания Samsung сообщила о начале серийного производства 20-нм чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит. По словам производителя, память предназначается «для применения в широком спектре вычислительных приложений». Память производится с использованием иммерсионной литографии.

Н

а сегодняшний день технормы 20 нм – самые маленькие среди освоенных в серийном производстве памяти типа DRAM. Уменьшение такой памяти, каждая ячейка которой содержит транзистор и конденсатор, дается сложнее по сравнению с флэш-памятью типа NAND, в ячейке которой конденсатора нет. Для освоения более тонких норм техпроцесса в производстве памяти DRAM специалисты Samsung разработали модифицированную технологию экспонирования с двойным шаблоном и с формированием атомарного слоя.

По словам производителя, эта технологию можно считать важной технологической вехой, так как она позволяет выпускать 20-нм память DDR3 с применением существующего оборудования для фотолитографии и при этом создает задел для технологии производства памяти DRAM следующего поколения по технормам 10 нм.

Помимо этого, в Samsung научились формировать сверхтонкие и беспрецедентно равномерные диэлектрические слои конденсаторов, благодаря чему были улучшены характеристики ячеек памяти.

Переход к технологическим нормам 20 нм при производстве памяти DDR3 DRAM дает возможность более чем на 30% увеличить объемы производства по сравнению с памятью, выпускаемой по нормам 25 нм, и более чем вдвое по сравнению с памятью, соответствующей нормам 30 нм.

Модули DDR3, в которых применены новые чипы, выигрывают по энергопотреблению до 25% у модулей такого же объема, в которых применены чипы предыдущего поколения, созданные по технормам 25 нм.

Читайте также:
Samsung начинает серийное производство оперативной памяти DDR4
Samsung и Hynix продолжают лидировать на DRAM-рынке
Корейские производители DRAM переходят на 20-нм техпроцесс
Доля DRAM-памяти для сегмента ПК впервые за 30 лет стала меньше 50%
Слияние Micron и Elpida изменит соотношение сил на рынке DRAM
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах

Источник: Samsung Electronics

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты