Международный план по развитию полупроводниковых технологий на следующие 15 лет


В документе ITRS-2013 представлены задачи по созданию более компактных, энергоэффективных и производительных полупроводниковых устройств.

Ассоциация Semiconductor Industry Association (SIA), представляющая интересы производителей и разработчиков полупроводниковой продукции, анонсировала ITRS-2013 – Международный план по развитию полупроводниковых технологий (International Technology Roadmap for Semiconductors), в котором оцениваются технические проблемы и возможности развития полупроводниковой отрасли до 2028 г. Поскольку этот документ определяет задачи на перспективу, у участников отрасли появилась возможность сообща работать над созданием полупроводниковых приборов следующего поколения.

По словам Брайана Тухи (Brian Toohey), президента и главного исполнительного директора SIA, стратегические планы ITRS уже более 20 лет играют важную роль в оценке перспектив и развития полупроводниковых технологий. С помощью этого документа разработчики, инженеры и ученые создадут более компактные, быстродействующие, эффективные и менее дорогостоящие устройства для конечных пользователей. Усовершенствованные технологии получат широкое распространение в медицинских приборах, системах связи, в транспортных системах, военной и бытовой технике, «зеленой» энергетике и ряде других приложений.

План ITRS, выполнение которого контролирует комитет International Roadmap Committee, финансируется представителями пяти регионов – Европы, Японии, Кореи, Тайваня и США. План ITRS, появившийся благодаря совместным усилиям производителей полупроводников и поставщиков оборудования, сообществ разработчиков и консорциумов, определяет задачи, технические потребности и возможные решения в отношении полупроводниковых технологий. К числу основных выводов и прогнозов плана ITRS-2013 относятся следующие.

Устройства

  • Отличительной чертой новой эпохи масштабирования микросхем является 3D-архитектура и малое энергопотребление. Увеличение числа транзисторов на единицу площади будет осуществляться за счет нескольких уровней в одной микросхеме.
  • Усовершенствование технологий обработки материалов (использование углеродных нанотрубок, графена и т.д.) позволяет надеяться на создание баллистических проводников в следующем десятилетии.
  • Существуют и две другие возможности создания новых полупроводниковых изделий. Первая заключается в расширении функционала КМОП-платформы путем гетерогенной интеграции новых технологий, а вторая – в стимулировании создания устройств, в которых реализованы новые концепции обработки данных.

Системная интеграция

  • Интеграция нескольких технологий в устройства (например, GPS-навигаторы, мобильные телефоны, планшеты и т.д.) с жесткими ограничениями на занимаемую площадь привела к революционным изменениям в полупроводниковой отрасли. Главным требованием при реализации новых проектов стало не обеспечение высокого быстродействия, а сокращение энергопотребления.
  • В соответствии с планом ITRS-2013, в долгосрочной перспективе (на 7–15 лет после 2020 г.) предполагается создание устройств, работающих по совершенно новым принципам и построенных с использованием совершенно иных архитектур. Например, приборы на спиновых волнах (spin wave devices, SWD) относятся к магнитным логическим устройствам для передачи данных и их обработки. SWD-устройства преобразуют сигналы входного напряжения в спиновые волны, производят вычисления и преобразуют выходные спиновые волны в сигналы напряжения.

Производство

  • В течение ближайших 15 лет размеры элементов интегральных схем сократятся до нескольких нанометров.
  • В план ITRS-2013 добавился новый подраздел о больших данных (big data, BD). Производство новых ИС все в большей мере согласуется с требованиями к повышению объемов данных, скоростей обмена информацией, качества, а также удобства и простоты использования устройств.

Более подробную информацию о плане ITRS см. на сайте www.itrs.net

Читайте также:
30-я выставка «Москва: проблемы и пути повышения энергоэффективности»: поле для новых электронных разработок
Конференция-выставка «Москва – проблемы и пути повышения энергоэффективности»
Как снизить потребление сети беспроводных датчиков
Полупроводниковая отрасль неизбежно станет расти
Тенденции развития встраиваемых многоядерных СнК следующего поколения
Новый стратегический план развития полупроводниковых технологий (ITRS)

Источник: Электронные компоненты

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *