Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 19 ноября
 
 


Это интересно!

Ранее

Китай должен сохранять спокойствие в связи с замедлением темпов роста экономики – председатель КНР

Китай должен приспособиться к новой норме экономического роста и сохранять спокойствие в связи с замедлением темпов роста в являющейся второй крупнейшей экономикой мира стране, заявил в минувшие выходные председатель КНР Си Цзиньпин.

Плоды санкций: экономика ФРГ в 2014 году замедлится на 0,9%, в следующем снизится на 0,3%

В ЕС опасаются, что возможные экономические санкции против России в связи с кризисом на Украине окажут существенное отрицательное влияние на экономику ФРГ и других европейских стран, пишет газета The Daily Telegraph со ссылкой на подготовленный Евросоюзом секретный доклад.

Siemens объявил о радикальной реорганизации бизнеса

Немецкий концерн Siemens объявил о радикальной реорганизации своего бизнеса, сообщает «Немецкая волна». Крупнейшая технологическая компания Германии, у которой по всему миру 290 заводов и свыше 360 тыс. сотрудников, избавится от целого ряда традиционных подразделений, признанных теперь непрофильными, и сфокусируется на энергетическом машиностроении.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

13 мая 2014

В Китае запущен новый завод Samsung по выпуску флеш-памяти NAND

Как стало известно из распространенного компанией пресс-релиза, в китайском городе Сиань провинции Шэньси введен в строй новый завод Samsung по выпуску флеш-памяти типа NAND. На линиях этого завода будет выпускаться т.н. память Samsung 3D V-NAND.

П

о современным меркам это весьма высокотехнологичное производство по выпуску микросхем. Каждая микросхема 3D V-NAND представляет из себя объемную 3D-структуру, включающую 24 слоя. Стоит уточнить, это не обычная сборка из пакета кристаллов, а крайне высокоплотная компоновка с применением вертикальных TSVs-соединений.

Новое предприятие занимает площадь 1,14 млн. кв. м. Суммарная площадь производственных помещений – 230 тыс. кв. м. От закладки до запуска производственных линий прошло 20 мес., что можно считать рекордными сроками. Впрочем, линии по упаковке и тестированию микросхем пока что в эксплуатацию не введены: это произойдет в конце 2014 г.

Переход к использованию вертикальных структур полупроводников при производстве флеш-памяти необходим по той причине, что снижение технологических норм больше не позволяет сэкономить средства: себестоимость на фоне роста плотности расположения ячеек не уменьшается. Для выпуска памяти NAND-флеш экономически обоснованным барьером считаются 15-нм технормы. При переходе на вертикальные структуры с сохранением старых технологических процессов (в случае Samsung 3D V-NAND – 45нм) появляется возможность увеличения плотности размещения ячеек памяти без необходимости установки нового литографического оборудования.

Читайте также:
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
В ближайшее время Toshiba начнет выпуск флеш-памяти 15-нм NAND MLC
Toshiba построит фабрику по производству 3D NAND-памяти
Недорогая и плотная 3D-память стала ближе на один шаг
Что внутри 20-нм 3D-флеш-памяти NAND от Intel?
3D-память Micron заинтересовала еще две компании
Samsung и Toshiba снизят темпы производства NAND
Samsung анонсирует 10-нм NAND-память eMMC

Источник: Techpowerup.com

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты