Как стало известно из распространенного компанией пресс-релиза, в китайском городе Сиань провинции Шэньси введен в строй новый завод Samsung по выпуску флеш-памяти типа NAND. На линиях этого завода будет выпускаться т.н. память Samsung 3D V-NAND.
По современным меркам это весьма высокотехнологичное производство по выпуску микросхем. Каждая микросхема 3D V-NAND представляет из себя объемную 3D-структуру, включающую 24 слоя. Стоит уточнить, это не обычная сборка из пакета кристаллов, а крайне высокоплотная компоновка с применением вертикальных TSVs-соединений.
 |
Новое предприятие занимает площадь 1,14 млн. кв. м. Суммарная площадь производственных помещений – 230 тыс. кв. м. От закладки до запуска производственных линий прошло 20 мес., что можно считать рекордными сроками. Впрочем, линии по упаковке и тестированию микросхем пока что в эксплуатацию не введены: это произойдет в конце 2014 г.
Переход к использованию вертикальных структур полупроводников при производстве флеш-памяти необходим по той причине, что снижение технологических норм больше не позволяет сэкономить средства: себестоимость на фоне роста плотности расположения ячеек не уменьшается. Для выпуска памяти NAND-флеш экономически обоснованным барьером считаются 15-нм технормы. При переходе на вертикальные структуры с сохранением старых технологических процессов (в случае Samsung 3D V-NAND – 45нм) появляется возможность увеличения плотности размещения ячеек памяти без необходимости установки нового литографического оборудования.
Читайте также:
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
В ближайшее время Toshiba начнет выпуск флеш-памяти 15-нм NAND MLC
Toshiba построит фабрику по производству 3D NAND-памяти
Недорогая и плотная 3D-память стала ближе на один шаг
Что внутри 20-нм 3D-флеш-памяти NAND от Intel?
3D-память Micron заинтересовала еще две компании
Samsung и Toshiba снизят темпы производства NAND
Samsung анонсирует 10-нм NAND-память eMMC
Источник: Techpowerup.com