Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 15 ноября
 
 


Это интересно!

Ранее

Начались продажи YotaPhone на Ближнем Востоке

Российский смартфон теперь можно купить в Объединенных Арабских Эмиратах.

E Ink Holdings закончила очередной квартал с убытком в размере 20 млн долл

Известный производитель электрофоретических дисплеев закончил финансовый квартал со значительными убытками, которые объясняются сезонным падением спроса.

У Cisco упала квартальная чистая прибыль на 12%

Крупнейший в мире производитель сетевого оборудования американская компания Cisco Systems Inc. сообщила о снижении чистой прибыли по итогам третьего финансового квартала на 12%.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

19 мая 2014

Samsung применит подложки FD-SOI в рамках 28-нм техпроцесса

Использование полупроводников с низкими токами утечки позволит увеличить время работы устройств носимой электроники.

В

процессе перехода к техпроцессу 28 нм было решено отказаться от применения подложек с дополнительным слоем изолятора –  SOI (silicon on insulator). Компания IBM и участники технологического альянса во главе с ней активно использовали пластины SOI. Прежде всего, имеются в виду компании Samsung, STMicroelectronics и GlobalFoundries (AMD), Благодаря дополнительному слою изолятора под кристаллом удается снижать токи утечки, что, в свою очередь, позволяет повышать рабочие частоты транзисторов.

Что интересно, компания компания Intel избегала применения SOI. По всей видимости, на это были свои причины, и эти же причины вынудили производителей отказаться от SOI в ходе освоения 28-нм техпроцесса и, по всей вероятности, в рамках  техпроцесса 20 нм. Однако в процессе освоения техпроцесса 14 нм пластины с дополнительным слоем изолятора опять будут использоваться, однако уже на другом уровне – в виде полностью обедненных SOI или FD-SOI (fully depleted silicon on insulator). Во всяком случае, в апреле компания GlobalFoundries приобрела у Samsung лицензию на производство 14-нм FinFET полупроводников, при выпуске которых с большой вероятностью будут задействованы подложки FD-SOI.

Кроме того, пластины FD-SOI будут использоваться теперь и в рамках 28-нм техпроцесса и, вероятно, в рамках 20-нм. На днях компания Samsung приобрела у STMicroelectronics лицензию на производство решений по техпроцессу 28 нм на подложках FD-SOI. Завод в Европе STMicroelectronics был проверен на совместимость с двумя технологиями, но компания не может приступить к запуску массового производства полупроводников без участия какого-либо партнера. Теперь таким партнером становится Samsung. На заводах Samsung выпуск 28-нм полупроводников на FD-SOI начнется с 2015 г., причем уже сегодня доступны программные инструменты для разработки будущих решений. Кроме того, сообщается, что внедрять цифровые дизайн-проекты можно будет и на предприятиях STMicroelectronics, и на заводах Samsung.

В теории перевод 28-нм норм на пластины FD-SOI с монолитных пластин даст возможность увеличить на 30% производительность решений, не прибегая к редизайну проектов. Это позволит сэкономить значительные средства на создании фотошаблонов и предшествующую этому разработку. Экономия на один проект может превышать 50 млн долл. Впрочем, вероятнее всего, может быть востребована такая особенность FD-SOI, как уменьшение токов утечки. Для носимой электроники, становящейся все более популярной, снижение потерь в режиме ожидания очень актуально. В такой продукции максимально достижимые тактовые частоты явно не нужны. А вот длительная работа от батарей – действительно необходима.

Читайте также:
Samsung и GlobalFoundries будут выпускать 14-нм ИС с использованием подложек FD-SOI
FD-SOI привлекла внимание ARM
Техпроцесс FD-SOI от ST: спасение европейской микроэлектроники?
ST и Memoir Systems выпускают быструю встраиваемую память по FD-SOI
Rambus получит лицензию на технологию FD-SOI компании ST
FDSOI-транзисторы удалось разогнать до 3 ГГц

Источник: EE Times

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты