Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 22 октября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

GT Advanced Technologies сообщила подробности о банкротстве

Как сообщил один из руководителей GT Advanced Technologies, банкротство компании было необходимо, т.к. контракт с компанией Apple на поставку сапфира оказался невыполнимым, а изменить его условия было невозможно.

Власти КНР отдают приоритет экономическому подъему, а не реформам – ВБ

Всемирный банк отмечает усилия Китая по сдерживанию темпов роста объемов кредитования, сокращению избыточных производственных мощностей, а также по борьбе с загрязнением окружающей среды. По мнению экспертов ВБ, отмечает MarketWatch, эти необходимые шаги для ребалансировки экономики внесли свой вклад в ослабление роста экономики КНР в 2014 г.

Рекордные продажи помогли LG Electronics удвоить квартальную прибыль

Чистая прибыль южнокорейского производителя электроники LG Electronics Inc. в третьем квартале 2014 г. увеличилась на 87%, или в 1,9 раза, – до 203 млрд южнокорейских вон (194 млн долл.) по сравнению с 108,5 млрд вон за аналогичный период годом ранее, говорится в сообщении компании.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

30 октября 2014

GlobalFoundries и Everspin займутся производством перспективной MRAM-памяти

Стало известно о заключении договора между компаниями Everspin и GlobalFoundries, в рамках которого планируется создать техпроцесс для производства памяти типа MRAM на мощностях GlobalFoundries.

В

частности сообщается, что GlobalFoundries займется адаптированием производства ST-MRAM (Spin-Torque MRAM) на своих линиях применительно к 28-нм и 40-нм LP-техпроцессам на пластинах диаметром 300 мм. Аналогичную память в массовом порядке собираются с 2016 г. выпускать компании Toshiba и SK Hynix.

Существует мнение, что в составе процессоров, да и в целом в электронике, память MRAM (ST-MRAM) сможет выступить в качестве замены ОЗУ SRAM-типа. По быстродействию MRAM близка к скорости работы оперативной памяти, однако при этом является энергонезависимой, что является большим плюсом.

Конструктивно память ST-MRAM относительно проста. Один транзистор необходим для управления процессами чтения и записи. При этом используется комбинация двух магнитных слоев с тонкой прослойкой изолятора. Из этих слоев один имеет постоянную намагниченность, а другой – свободную. Воздействуя сильным током, можно менять направление намагниченности такого свободного слоя. Намагниченность свободного слоя остается фиксированной и после окончания воздействия тока. В режиме чтения (осуществляется при малых токах) совпадение направления намагниченностей оказывает незначительное сопротивление току, что соответствует логическому «0», а разнонаправленный вектор оказывает высокое сопротивление, что соответствует «1».

Известно, что GlobalFoundries получила часть акций компании Everspin, однако финансовые детали договора не сообщаются. GlobalFoundries также вложит средства в создание технологий для начала серийного производства ST-MRAM. Впрочем, сроки завершения этих работ не сообщаются. Но направление это считается очень перспективным. При этом спрос на MRAM пока что достаточно ограничен, т.к. емкость отдельных микросхем еще недостаточна для производства, к примеру, SSD-накопителей приемлемой емкости. Но память типа MRAM уже используется в качестве буфера SSD. Кроме того, она востребована для записи логов транзакций.

Читайте также:
Globalfoundries совместно с Imec работает над STT-MRAM
TDK представила прототипы чипов памяти STT-MRAM плотностью 8 Мбит
В России создан завод по выпуску памяти MRAM
MeRAM: компьютерная память может быть холодной
MRAM сменит SRAM-память в мобильных устройствах
Краткая история развития устройств памяти

Источник: Globalfoundries.com

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты