В 2018 году в Китае могут появиться три крупных производителя полупроводниковой памяти


По сообщению популярного тайваньского интернет-ресурса DigiTimes, до конца 2018 года в Китае могут появиться три крупных полупроводниковых компании, выпускающих память типа DRAM.

Одна из них — компания Yangtze River Storage Technology (YRST). Это совместное предприятие консорциума Tsinghua Unigroup и компании Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing (XMC). В данный момент СП владеет заводом XMC по выпуску памяти на 20 тыс. 300-мм пластин каждый месяц. После модернизации в конце 2018 года завод сможет ежемесячно выпускать до 300 тыс. пластин с микросхемами памяти 3D NAND (разработана совместно со специалистами компании Spansion). Для выпуска DRAM компания YRST либо построит новый 300-мм завод, либо купит у кого-то действующее предприятие.

Вторым крупным китайским игроком на рынке DRAM обещает стать компания Fujian Jin Hua Integrated Circuit. Для компании уже разрабатывается 25/30-нм техпроцесс. Разработкой заняты специалисты тайваньской компании UMC и инженеры из Китая, а финансируются они правительством китайской провинции Фуцзянь (Fujian) в объёме $312 млн. Если верить источнику, компания Fujian Jin Hua Integrated Circuit занята строительством завода, способного обрабатывать 300-мм пластины. Завод начнёт работать в 2018 году.

Третьим игроком на рынке «национальной» китайской памяти станет совместное предприятие между местной компанией GigaDevice Semiconductor и властями города Хэфэй (Hefei). Пока о данном СП ничего неизвестно. Подробности, очевидно, вскоре последуют.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *