Samsung оштрафовали на $1,2 млрд за нарушение патента по FinFET-техпроцессу


Samsung оштрафовали на сумму 1,2 млрд долларов за нарушение патента, связанного с технологическим процессом на транзисторах с вертикально расположенным затвором (Fin Field Effect Transistor, FinFET), права на который принадлежат Корейскому институту передовых технологий (Korea Advanced Institue of Science and Technology).

В конце прошлого месяца Samsung оштрафовали на 539 млн долларов за за нарушение дизайнерских патентов, принадлежащих Apple. Правда Samsung уже подала апелляцию, заявив, что они согласны выплатить максимум 28 млн долларов.

Теперь же стало известно о том, что Samsung оштрафовали на сумму 1,2 млрд долларов за нарушение патента, связанного с технологическим процессом на транзисторах с вертикально расположенным затвором (Fin Field Effect Transistor, FinFET), права на который принадлежат Корейскому институту передовых технологий (Korea Advanced Institue of Science and Technology).

Изначально за нарушение Samsung назначили штраф в размере 400 млн долларов, который компания проигнорировала. После чего суд решил утроить сумму штрафа до 1,2 млрд долларов. Стоит добавить, что в аналогичных нарушениях также уличили компании Qualcomm и GlobalFoundries, которые смогли избежать наказания.

Представители Samsung опровергли факт нарушения патента, заявив, что компания работала над ним вместе со специалистами Корейскоого института передовых технологий. В связи с чем южнокорейский гигант планирует отстаивать свою позицию в апелляционном суде.

Источник: Gizchina

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *