Итоги XI конференции «Состояние и перспективы развития отечественной микроэлектроники»

В конце сентября в Новосибирске прошла XI отраслевая научно-практическая конференция «Состояние и перспективы развития отечественной микроэлектроники». С докладом директора Департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторга России А.С. Якунина на этой конференции мы вас уже знакомили ранее. Теперь приводим официальный (утвержденный замминистра Минпромторга РФ и председателем оргкомитета конференции Ю.Б. Слюсарем) пост-релиз конференции.

Заслушав и обсудив доклады директора Департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторга России А.С. Якунина, Министра промышленности, торговли и развития предпринимательства Новосибирской области С.Н.Семки и председателя Сибирского отделения РАН Асеева А.Л., а также доклады и выступления участников, научно-практическая конференция отмечает следующее.

Конференция посвящена рассмотрению актуальных вопросов анализа состояния и перспектив развития технологий микроэлектроники и их применения для реализации конкурентоспособных инновационных социально-значимых проектов с целью расширения рынков сбыта радиоэлектронной продукции.

В работе конференции приняли участие руководящие работники Администрации Президента Российской Федерации, Аппарата Правительства Российской Федерации, регионов России, Минпромторга России, Минэкономразвития России, Минобрнауки России, Российской академии наук, Роскосмоса, ГК «Росатом», ГК «Ростехнологии», АФК «Система» и ряда других ведомств, а также руководители предприятий разработчиков и изготовителей радиоэлектронной продукции и электронной компонентной базы. Всего в работе конференции принял участие 331 специалист из 17 регионов России и Беларуси, было заслушано 35 докладов и выступлений ответственных работников министерств, ведомств, руководителей предприятий, ведущих ученых и специалистов в области радиоэлектроники, в рамках конференции была организована специализированная выставка радиоэлектронной продукции 27 предприятий.

Участники конференции отмечают, что радиоэлектронная промышленность – это один из высокотехнологичных секторов экономики страны, обеспечивающих разработку и производство военной и гражданской продукции, уровень которой во многом определяет экономическую, технологическую, информационную безопасность и оборонную достаточность России. Радиоэлектронные технологии, в первую очередь технологии микроэлектроники, являются катализатором и локомотивом научно-технического прогресса страны и базисом для устойчивого развития других отраслей промышленности. Рынок микроэлектроники является одним из самых емких и быстрорастущих и обладает огромным потенциалом дальнейшего развития. Исключительная роль микроэлектроники заключается в стремительном и революционном влиянии на развитие человеческого общества. Широкое применение микроэлектроники во всех сферах деятельности человека оказало и продолжает оказывать огромное влияние на развитие экономики и образ жизни людей. Во многом благодаря микроэлектронике появляются новые возможности коммуникации людей, обеспечивается безопасность человека, повышается качество и доступность образования и здравоохранения, растет информационное обеспечение общества. Развитие производства электронной техники, и прежде всего микроэлектроники, может стать одним из возможных путей возрождения российской экономики, изменения ее сырьевой ориентации на наукоемкую, технотронную, характеризующуюся эффективными производительными силами на основе инновационных электронных технологий.

В ведущих мировых странах государственная поддержка развития микроэлектроники рассматривается как самый эффективный способ повышения конкурентоспособности национальной экономики и вхождения в мировой рынок. Среди таких мер следует отметить не только участие государства в финансировании разработок изделий микроэлектроники, в строительстве современных микроэлектронных производств, но и формирование плановой политики развития путем введения определенных преференций для микроэлектронных производств (введение льготных ставок налога, отмены платы за землю, введение практики ускоренной амортизации оборудования, предоставление льготных кредитов, безвозмездных субсидий, создание свободных экономических зон и технопарков и т.д.).

Создание в России современной инфраструктуры разработки и производства изделий микроэлектроники и достижение технологической независимости России в этой области является одной из ключевых задач модернизационного развития страны, на которой предполагается сконцентрировать ресурсы государства и бизнеса. Состояние отечественной технологической базы, разработок, серийного производства изделий микроэлектроники свидетельствует о том, что микроэлектронная промышленность России находится в структурно-технологическом кризисе, значительно отставая от динамичного развития мировой микроэлектроники. Для преодоления этого отставания реализуется комплекс мер, основанный на документах, определяющих развитие микроэлектроники на ближайшую перспективу. К ним относятся: «Стратегия развития электронной промышленности России на период до 2025 года», федеральные целевые программы «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы, «Глобальная навигационная система», «Разработка, восстановление и организация производства стратегических, дефицитных и импортозамещающих материалов и малотоннажной химии для вооружения, военной и специальной техники на 2009 – 2011 годы и на период до 2015 года», «Развитие оборонно-промышленного комплекса Российской Федерации на 2007-2010 годы и на период до 2015 года» и подпрограмма «Создание электронной компонентной базы для систем, комплексов и образцов вооружения, военной и специальной техники», а также научно–технические программы Союзного государства «Основа», «Микросистемотехника», «Прамень».

Со времени принятия этих документов, несмотря на ограниченное финансирование, в стране происходит ускоренное освоение микроэлектронных технологий нового поколения, создается современная инфраструктура высокотехнологичной микроэлектронной промышленности. Модернизирован ряд микроэлектронных производств, начата реализация сети дизайн-центров проектирования проблемно-ориентированных сложнофункциональных БИС типа «система на кристалле» на базе ведущих системных предприятий-разработчиков РЭА, создан Межотраслевой центр проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов, создаются базовые промышленные технологии микроэлектроники уровней 90 нм и ниже, и в соответствии с ФЦП «Развитие ОПК», начиная с 2011 года, ведется поэтапная реализация широкомасштабной программы приборных НИОКР по разработке цифровых и аналоговых микросхем, приборов полупроводниковой электроники, силовой электроники, опто- и фото электроники, ВЧ и СВЧ монолитных интегральных микросхем, пассивных электронных компонентов, модулей и других классов ЭКБ для систем специального назначения.

Тем не менее, дальнейшее развитие микроэлектроники сдерживается наличием ряда нерешенных проблем:

1. Большинство отечественных предприятий микроэлектроники используют технологическое оборудование, обеспечивающее технологический уровень 0,6–2,5 мкм, и не имеют средств на модернизацию своих производств (только ОАО «НИИМЭ и Микрон» удалось осуществить реализацию проектов по освоению технологий уровня 180–90 нм). Для достижения более высоких

технологических уровней 65–45 нм и менее необходимо более эффективное использование уже выделенных и поиск дополнительных средств на модернизацию и техническое техперевооружение микроэлектронных предприятий, более широкое использование для этих целей принципов государственно-частного партнерства и привлечение инвестиций, в том числе зарубежных, а также кооперацию с зарубежными партнерами.

2. Строительство или модернизация кремниевых фабрик обходится слишком дорого и становится экономически обоснованным только при наличии соответствующего рынка. Требуется разработка организационных и технических мероприятий, которые способствовали бы развитию отечественного рынка электронной продукции, в первую очередь, таких перспективных гражданских направлений, как идентификационные документы с электронным носителем информации, изделия в радиационно-стойком исполнении, радиочастотные метки для целей логистики, маркировки различных товаров (лесоматериалов, почтовых отправлений, лекарственных препаратов, сельскохозяйственной продукции и животных и т.д.), изделия микроэлектроники для аппаратуры цифрового радио- и телевещания, мобильной связи, навигационной аппаратуры ГЛОНАСС, систем и средств комплексной безопасности и т.д.

3. Инфраструктура обеспечения микроэлектронного производства формируется изготовителями электронных материалов, специального технологического и контрольно-измерительного оборудования, технологическими операциями, интеграцией и специализацией производства. Сегодня практически все технологическое оборудование и электронные материалы приходится импортировать. Необходимо восстановление в стране под контролем государственных органов полномасштабной инфраструктуры микроэлектронного производства.

4. Для повышения эффективности аппаратурно-ориентированного проектирования высокоинтегрированных СБИС типа «система на кристалле», а также модулей и узлов оборудования в виде «система на плате» и «система в корпусе» необходимо повысить координацию вопросов кооперации центров проектирования и разработчиков радиоаппаратуры, обеспечить создание и ведение доступной для широкого пользования статистической базы данных о выполненных разработках ЭКБ, СФ-блоков, встраиваемых электронных модулей, оптимизированных схемно-технических решениях типовых блоков радиоэлектронного оборудования, а также создание центра трансфера (обменного фонда) продуктов интеллектуальной собственности центров проектирования, а именно проектов, программ, СФ-блоков, САПР и др.

5. Одна из проблемных причин, которая не позволяет российской микроэлектронике активно развиваться – это нехватка кадров, умеющих работать с современными технологиями. Анализ рынка российской литературы показывает катастрофическую нехватку современных учебников по микроэлектронным технологиям. Быстрый перевод и издание в России последних зарубежных учебных пособий в области электронной инженерии помог бы подъему процесса подготовки и переподготовки на современный уровень. Необходимы также средства на установку современных средств САПР в профильных ВУЗах для наработки практических навыков учащихся в проектировании реальных систем.

6. Безотлагательным представляется более широкое развертывание работ по совершенствованию нормативно-технической базы в области разработки, производства и применения ЭКБ и повышения ее качества и надежности, оптимизации программ и методов проведения испытаний, созданию стандартов по новым перспективным направлениям развития ЭКБ, прямого применения международных стандартов, усиления работы с международными организациями по стандартизации, участие в разработке технических регламентов ЕврАзЭС и Таможенного Союза, ведение ограничительных перечней электрорадиоизделий, включая регламентацию применения ЭКБ импортного производства, зарубежных библиотек и технологической базы, создания и ведения страховых запасов, ведения рекламационной работы, методологии ценообразования на ЭКБ и т.п.

7. Одной из важных проблем является определение минимально необходимой и функционально-параметрически достаточной номенклатуры ЭКБ, в том числе изделий микроэлектроники. Практически не проводится работа по ее оптимизации и унификации, следствием чего является многотысячная номенклатура ЭКБ, зачастую с близкими характеристиками и с небольшой потребностью.

Конференция рекомендует:

1. Считать основной стратегической задачей радиоэлектронной промышленности дальнейшее приоритетное инновационное развитие микроэлектроники и радиоэлектроники в целом (как отрасли, обеспечивающей рынки для продукции микроэлектроники), обеспечение интенсивной реконструкции и модернизации микроэлектронных производств, разработку, освоение и выпуск отечественных изделий микроэлектроники для создания наукоемкой конкурентоспособной радиоэлектронной продукции, поставляемой на внутренний и внешний рынки.

2.Первоочередными задачами по дальнейшему развитию микроэлектроники и радиоэлектроники считать:

2.1. Разработку, согласование и утверждение Государственной программы развития электронной и радиоэлектронной промышленности.

2.2. Корректировку ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники на 2008-2015 годы» в увязке ее со сроками реализации Государственной программы развития электронной и радиоэлектронной промышленности и «Стратегией развития электронной промышленности России на период до 2025 года».

2.3. Подготовку плана мероприятий (перечней ведомственных проектов) по внедрению отечественной продукции микроэлектроники в различные отрасли народного хозяйства.

2.4. Подготовку и представление в установленном порядке проекта решения Правительства Российской Федерации о непрограммных мерах поддержки организаций, осуществляющих деятельность в области разработки и производства продукции микроэлектроники с технологическими нормами 180 нанометров и менее, а также в области микросистемной техники.

2.5. При выборе стратегии техперевооружения уделять внимание не только внедрению нового СТО, но и выведению предприятий на новый уровень технологической зрелости, а также учитывать тенденции развития технологий микроэлектроники в мире:

— 3Д-интеграция;

— интеграция на уровне гибридных схем изделий.

2.6. Интенсификацию работы по совершенствованию и актуализации нормативно-технической базы в области разработки, производства и применения ЭКБ, обратив особое внимание на регламенты системы контроля и обеспечения качества и надежности ЭКБ, в особенности радиационно-стойкой ЭКБ и высокофункциональных изделий микроэлектроники.

2.7. В целях ускорения создания новой сложнофункциональной ЭКБ и ее внедрения обеспечить формирование единой информационной системы, предназначенной для интеграции усилий дизайн-центров предприятий разработчиков ЭКБ и РЭА, в том числе по вопросам разработки и верификации, тестирования и контроля качества библиотек стандартных элементов, СФ-блоков и СБИС типа «система на кристалле». Считать целесообразным создание Некоммерческого партнерства дизайн-центров с единой информационной базой данных СФ-блоков и единым пространством проектирования «облачного» типа. Необходимо создавать Базовые центры проектирования с учетом внедрения норм проектирования современных, новейших и передовых технологий;

2.8. Организовать разработку концепции преимущественного развития материаловедческой базы и разработки и использования отечественного производственно-технологического оборудования.

2.9. Межведомственному совету главных конструкторов по ЭКБ:

— совместно с Генеральными (главными) конструкторами РЭА ВВСТ организовать проведение работы по минимизации и оптимизации архитектурно-структурных вариантов применения высокофункциональных изделий микроэлектроники (ИМЭ). Предложения представить в Департамент радиоэлектронной промышленности Минпромторга России, которому по согласованию с Минобороны России, Роскосмосом, ГК «Росатом» и ГК «Ростехнологии» утвердить оптимизированный состав архитектурно-структурных вариантов применения высокофункциональных ИМЭ и рекомендовать его генеральным и главным конструкторам систем и комплексов ВВСТ к обязательному применению;

— совместно с Ассоциацией заказчиков и потребителей унифицированных изделий электронной техники «Фонд УНИЭТ» подготовить предложения по минимизации и оптимизации технологических платформ и номенклатуры импортных ИМЭ.

2.10. Департаменту радиоэлектронной промышленности Минпромторга России совместно с Минобороны России рассмотреть вопрос о включении в проект Временного положения о взаимодействии Минпромторга России и Минобороны России при разработке, производстве и применении ЭКБ для ВВСТ процедуру согласования Минобороны России номенклатуры импортной ЭКБ с Минпромторгом России перед утверждением решений (в соответствии с приказом Минобороны России от 20.06.12 № 1555).

2.11. Создание Единой системы сертификации систем менеджмента и качества предприятий, управления качеством и техническим контролем ЭКБ для ВВСТ и двойного назначения. ФГУП «МНИИРИП» подготовить предложения по формированию этой системы.

2.12. Подготовку и представление в установленном порядке предложений по расширению особой экономической зоны технико-внедренческого типа «Зеленоград» за счет включения территории предприятий ОАО «НИИМЭ и Микрон» и ОАО «Ангстрем».

3. Рекомендовать руководителям предприятий-разработчиков РЭА, генеральным и главным конструкторам:

— организовать и постоянно проводить работу по унификации закладываемой в разработки ЭКБ для определения оптимизированной номенклатуры ЭКБ, подлежащей разработке в рамках ФЦП;

— организовать подготовку аппаратурно-ориентированных предложений по программно-целевому планированию развития ЭКБ для систем, комплексов и образцов ВВСТ во взаимодействии с уполномоченной Минпромторгом России организацией по этим вопросам – ФГУП «МНИИРИП».

4.Рекомендовать Департаменту радиоэлектронной промышленности:

— внедрить в практику формирования технических заданий на приборные НИОКР по разработке ЭКБ широкое привлечение представителей потенциальных потребителей конкретной разработки;

— предусмотреть в рамках федеральных целевых программ дополнительные мероприятия по созданию научно-технического задела в области ЭКБ;

— принять участие в актуализации, утверждении и реализации «Государственной программы фундаментальных и поисковых исследований в области обеспечения обороны и безопасности».

5. Рекомендовать Департаменту радиоэлектронной промышленности и руководству заинтересованных предприятий расширить взаимодействие с регионами на основе решения вопросов комплексной безопасности, продвижения концепции «Безопасный интеллектуальный регион» с использованием инструментов региональных программ и кластерной политики, при разработке и уточнении государственных и федеральных целевых программ усилить направленность на решение вопросов комплексной безопасности и, при необходимости, выдвижение законодательных инициатив.

6. В условиях вхождения России в ВТО для обеспечения защиты своих производителей на отечественном рынке считать целесообразным разработку предложений по введению особых преференций и региональных стандартов, технических регламентов ЕврАзЭС и Таможенного Союза, как обеспечивающих формирование рынка массовой гражданской продукции и стимулирующих потребление отечественной ЭКБ (для цифрового телевидения, мобильной связи, навигационной аппаратуры пользователей ГЛОНАСС, радиочастотных меток, систем и средств комплексной безопасности и т.д.), обеспечивающих применение отечественных изделий микроэлектроники.

7. В целях повышения концентрации компетенций, сокращения дублирования производств, увеличения загрузки мощностей микроэлектронных производств поддержать создание ОАО «Российская электроника» в г. Новосибирске кластера по специальной электронике и в г. Томске – по светодиодной аппаратуре.

8. Во взаимодействии с академической и ВУЗовской наукой и Госкорпорацией «Роснано» продолжить работу по дальнейшему развитию микро- и наноэлектронных технологий, в том числе на новых физических принципах.

9. В целях насыщения рынка отечественными системами комплексной безопасности, инфотелекоммуникаций, обеспечения энергоэффективности и повышения качества жизни населения, поддержать создание Санкт-Петербургского инновационного кластера предприятий и организаций радиоэлектроники, обратив его внимание на необходимость всемерного увеличения использования отечественной ЭКБ.

10. Поддержать формирование распределенного кластера на базе МГТУ МИРЭА, объединяющего возможности ряда ВУЗов, учреждений РАН и микроэлектронных производств (МГТУ МИРЭА, СФУ, ЮФУ, ИФП СО РАН, ФТИ РАН, ИРЭ РАН, «Пульсар», «Исток» и др.) с целью выполнения совместных НИОКР, продвижения их результатов в производство и подготовки высококвалифицированных кадров.

11. На базе ОАО «НЗР «Оксид» совместно с Институтом химии твердого тела и механохимии СО РАН и Новосибирского государственного технического университета создать производство суперконденсаторов и устройств на их основе, применяемых на транспорте, в энергетике и электронике.

12. В целях подготовки кадров для работы на микроэлектронных производствах рекомендовать руководителям предприятий установить более тесные контакты с профильными ВУЗами, решив вопросы освоения полученных учащимися знаний на реальном производственном оборудовании действующих предприятий, проводить активную работу с учебными заведениями по подготовке кадров с уровнем знаний, соответствующим требованиям современных высокотехнологичных производств.

13. Рекомендовать руководителям микроэлектронных предприятий в рамках поддерживаемой Департаментом радиоэлектронной промышленности серии книг «Мир радиоэлектроники» шире издавать книги отечественных и зарубежных авторов по проблемным вопросам развития микроэлектроники.

Директор Департамента радиоэлектронной промышленности, заместитель председателя оргкомитета конференции А. С. Якунин

Подробный фоторепортаж о конференции можно посмотреть здесь

Источник: сайт «Радиоэлектронная промышленность России»

Читайте также:
Александр Якунин о состоянии и перспективах отечественной электронной промышленности
Cостоялось открытое заседание Общественного совета Минпромторга России
Эксперты обсудили госпрограмму развития радиоэлектронной промышленности России
Концерн «Радиоэлектронные технологии» рассказал о своих успехах
Российский рынок электроники 2011/2012: итоги и прогнозы
Российский рынок электронных компонентов за 10 лет вырос в 3,5 раза
Российский рынок полупроводниковой светотехники 2011-2012 гг.
Российский рынок печатных плат — состояние и перспективы
Прогноз российского рынка электронных компонентов на 2012 г.
Обзор рынка полупроводниковых устройств за 2011 г.
Понижен прогноз продаж ИС на 2012 год: роста рынка не будет!
Мировой рынок полупроводников вырастет на 3% в 2012 г.
Рынок ИС продолжает сжиматься к уровню 2011 года