Стандартные цифровые ИС и память http://www.russianelectronics.ru/developer-r/review/2194/ Стандартные цифровые ИС и память Tue, 27 May 2014 10:27:04 +0400 ru SUPERFLASH® — УСПЕШНАЯ ТЕХНОЛОГИЙ ДЛЯ ПОСТРОЕНИЯ МИКРОСХЕМ ПАМЯТИ. Часть 2* http://www.russianelectronics.ru/developer-r/rss-r/review/2194/doc/62503/ Во второй части статьи, рассказывающей о преимуществах технологии SuperFlash® компании Microchip SST, предпримем попытку ответить на вопрос: как компании-производителю удается добиться столь хороших характеристик своих микросхем? Преимущества технологии SuperFlash® рассматриваются в сравнении с традиционной технологией Flash.... Wed, 16 Jan 2013 23:00:00 +0300 Микросхема энергонезависимой памяти IN24AA64 http://www.russianelectronics.ru/developer-r/rss-r/review/2194/doc/55640/ В статье рассказывается об особенностях и преимуществах микросхемы энергонезависимой памяти IN24AA64 информационной емкостью 64 К (8 К × 8 бит) с плавающим затвором. Микросхема, предназначенная для работы в системах с I2C-шиной, разработана в НТЦ «Белмикросистемы» ОАО «Интеграл».... Tue, 03 May 2011 10:32:27 +0400 Микросхема 5861ВТ1У специализированного контроллера программирования ЭСППЗУ http://www.russianelectronics.ru/developer-r/rss-r/review/2194/doc/54613/ В статье представлено техническое описание микросхемы 5861ВТ1У, которая позволяет программировать как специализированные микросхемы ЭСППЗУ (типа 5861РР1Т, 5861РР2Т), так и стандартные микросхемы ЭСППЗУ и флэш-памяти отечественного и зарубежного производства. Разрядность шины адреса — 16 бит, разрядность шины данных — 8 бит, рабочий температурный диапазон (–60…125°С), напряжение питания 4,5…5,5 В.... Fri, 18 Feb 2011 15:25:06 +0300 Память на фазовых переходах: проблемы и перспективы http://www.russianelectronics.ru/developer-r/rss-r/review/2194/doc/54612/ Энергонезависимая память на фазовых переходах рассматривается как один из кандидатов на роль универсальной системной памяти. В статье обсуждаются свойства и особенности структуры памяти на фазовых переходах. Описываются механизмы работы элемента памяти и проблемы, которые необходимо решить, чтобы память на фазовых переходах стала коммерчески успешным продуктом.... Fri, 18 Feb 2011 14:57:24 +0300 Микросхемы высокочастотных делителей 5861ПЦ1У, 5861ПЦ2У http://www.russianelectronics.ru/developer-r/rss-r/review/2194/doc/51907/ В статье представлено техническое описание микросхем высокочастотных цифровых делителей частоты с коэффициентами деления два (5861ПЦ1У) и пять (5861ПЦ2У). Отличительными особенностями микросхем является наличие двух независимых каналов деления (с аналоговым входом и цифровым входом), возможность запирания каналов, широкий рабочий диапазон температур (–60…125°С), напряжение питания 4,5…5,5 В.... Tue, 15 Jun 2010 11:07:39 +0400 Микросхема быстродействующего восьмиразрядного буферного формирователя 5861АП1У http://www.russianelectronics.ru/developer-r/rss-r/review/2194/doc/52377/ В статье представлено техническое описание микросхемы быстродействующего восьмиразрядного буферного формирователя 5861АП1У. Отличительные особенности микросхемы – высокая нагрузочная способность (до 60 мА по каждому выходу), возможность объединения выходов с увеличением выходного тока до 480 мА, наличие встроенного устройства адаптивной фильтрации коротких помех, широкий рабочий диапазон температур (–60…125°С), напряжение питания 4,5…5,5 В.... Fri, 11 Jun 2010 16:23:46 +0400 Микросхема быстродействующего параллельного ЭСППЗУ со встроенным секвенсором адреса 5861РР1Т http://www.russianelectronics.ru/developer-r/rss-r/review/2194/doc/51380/ В статье представлено техническое описание микросхемы быстродействующего параллельного ЭСППЗУ 5861РР1Т емкостью 16 Кбит (организация 2Кx8 бит). Отличительными особенностями микросхемы являются высокое быстродействие при чтении информации (25 нс), встроенный секвенсор адреса с функциями инкремента/декремента, рабочий диапазон температур (–60…125°С), напряжение питания 4,5…5,5 В.... Mon, 17 May 2010 15:30:07 +0400 Новинки DRAM и NAND за февраль http://www.russianelectronics.ru/developer-r/rss-r/review/2194/doc/49379/ В течение февраля между компаниями-производителями микросхем (МС) памяти наблюдалась напряженная борьба за технологическое лидерство. Вслед за анонсами чипов с нормами 40 нм появлялись известия о создании 30-нм чипов, затем все меньше и меньше.. Проследим за развитием событий последовательно.... Fri, 26 Feb 2010 12:59:26 +0300 NAND или NOR… какую флэш-память выбрать для проекта? http://www.russianelectronics.ru/developer-r/rss-r/review/2194/doc/43173/ Различные приложения и выполняемые функции требуют использования различных видов флэш-памяти. В статье обсуждаются особенности применения NAND- и NOR-памяти для хранения кода программы и данных системы. Описывается универсальное решение для подсистемы памяти на базе RAM, NAND- и NOR-памяти, сочетающее преимущества обоих типов флэш-памяти. Статья представляет собой сокращенный перевод работы [1].... Tue, 03 Mar 2009 00:00:00 +0300 Интегральные синтезаторы сетки стабильных частот серии LMK0300x National Semiconductor http://www.russianelectronics.ru/developer-r/rss-r/review/2194/doc/32972/ Синхронизация – важный элемент в любых системах преобразования и передачи данных. Обычно используется синтез сетки частот привязанных по фазе к опорной частоте. Причем во многих случаях важно не только формирование заданной и стабильной во времени частоты, но и обеспечение как можно меньшего уровня фазового шума. Шум синхронизации дает неопределенность дискретизации при измерениях, уменьшает разрешение, дает ухудшение результатов при корреляционной обработке. Поскольку шум синхронизации вносит свой... Mon, 12 Jan 2009 20:33:17 +0300 Динамическая память DDR3 http://www.russianelectronics.ru/developer-r/rss-r/review/2194/doc/50640/ Появление на рынке последнего поколения динамической памяти DDR3 позволило повысить пиковую производительность этого типа памяти до 1,6 Гбит/с на сигнальный контакт при уменьшении потребляемой мощности. В статье рассмотрены основные особенности и преимущества DDR3, а также перспективы развития рынка нового поколения памяти. Приведены данные о номенклатуре микросхем памяти DDR3 SDRAM, выпускаемых одним из ведущих мировых производителей компанией Micron.... Tue, 15 Jul 2008 15:13:55 +0400 Защита инвестиций: аутентификация и программное управление функциональностью http://www.russianelectronics.ru/developer-r/rss-r/review/optic/351/doc/557/ В статье рассматривается концепция аутентичности на примере решений компании Maxim/Dallas, которая предлагает защищенные микросхемы памяти для обеспечения контроля безопасности и защиты информации и решения таких задач, как:<br> – защита интеллектуальной собственности;<br> – лицензирование встроенного аппаратного и программного обеспечения;– функция «защищенное ПО» и установка статуса;<br> – запоминающие устройства для хранения данных с защитой от несанкционированного копирования.... Fri, 04 May 2007 11:20:52 +0400 Магниторезистивная память MRAM - быстродействующие ОЗУ и ПЗУ в одной микросхеме http://www.russianelectronics.ru/developer-r/rss-r/review/2194/doc/2320/ Исследование магниторезистивных структур как энергонезависимых элементов для хранения информации началось еще в первой половине ХХ века. Но только летом 2006 г. была представлена первая в мире микросхема энергонезависимой памяти, использующая технологию MRAM. В некоторых публикациях этот факт называют прорывом в области разработки памяти за последние 10 лет. Так ли это, и что из себя представляет магниторезистивная память — на эти вопросы отвечает данная статья. Также приводится подробное описание... Mon, 01 Jan 2007 15:54:06 +0300