Битва между Globalfoundries и TSMC на пути к 20 нм и далее


Между фаундри-компаниями Globalfoundries и TSMC разгорается настоящая битва титанов.

Эти две соперничающие фабрики расширяют спектр предложений и услуг, но используют разными стратегиями для того, чтобы поколебать положение конкурента.

Например, Globalfoundries предлагает изготовление по технологии high-k/metal-gate только 28-нм кристаллов. В то же время TSMC по той же норме обеспечивает производство с помощью технологий high-k/metal-gate и затвора из поликремния. TSMC настойчиво продвигает технологию производства 450-мм пластин, тогда как Globalfoundries и остальные участники «клуба фабрик» IBM не столь настойчиво отстаивают данный метод.

У компаний Globalfoundries, TSMC и, конечно, Intel немного разные планы развития литографических методов, что имеет решающее значение в выводе на рынок продукции, изготовленной по меньшим топологическим нормам. На мероприятии международной организации SPIE (Society for Optics and Photonics) Intel прояснила планы совершенствования литографических технологий. Компания остановила свой выбор на субмикронной технологии (EUV) как на следующем поколении литографических методов. Intel также рассматривает безмасочную литографию как один из альтернативных методов производства.

Globalfoundries, которая также высоко оценивает EUV-метод, внезапно изменила свое отношение к безмасочной литографии в лучшую сторону. TSMC – горячая сторонница этой технологии, но при этом поддерживает и EUV. TSMC полагается на компанию ASML Holding NV как на единственного поставщика литографических установок, тогда как Globalfoundries работает с двумя партнерами – ASML и Nikon.

Globalfoundries, которая прежде была производственным отделением компании Advanced Micro Devices, недавно преобразовалась в фаундри-компанию. Globalfoundries, применявшая метод 193-нм иммерсионной литографии начиная с нормы 45 нм, уверена, что эта технология будет работать вплоть до 20 нм.

В отличие от TSMC, компания Globalfoundries – приверженец методов EUV-литографии. В прошлом году эта фабрика заказала у ASML полноценную систему для производства по технологии EUV, отказавшись от использования опытной установки.

Globalfoundries намеревается предложить заказчикам два варианта изготовления кристаллов по норме 20 нм. В первом варианте для выпуска 20-нм продукции будет задействован метод 193-нм иммерсионной литографии с двойным шаблоном. Во втором варианте у заказчиков появится доступ к средствам EUV-литографии для формирования изображения.

Метод двойного шаблона – более медленное и дорогостоящее решение, поэтому Globalfoundries позволяет заказчикам воспользоваться опцией EUV, которая, как ожидается, должна снизить стоимость владения установкой. При этом, однако, недостаток в источниках питания, резистах и масках остается нерешенной задачей.

Сообщается, что Globalfoundries установит EUV-систему от ASML во второй половине 2012 г., а серийное производство с ее использованием начнется в 2014 или 2015 г. Если у заказчиков появится возможность реализации изделий по нормам 22- и 20-нм во второй половине 2012 г., то уже в 2013 г. они смогут выйти на рынок. До этих пор Globalfoundries, скорее всего, будет предлагать лишь одну опцию на 20 нм – 193-нм иммерсионную литографию с двойным шаблоном.

Планы Globalfoundries в отношении норм ниже 20 нм пока неизвестны. Что удивительно, эта фаундри приступила к освоению метода безмасочной литографии для малосерийного производства и выпуска ASIC.

Как и Globalfoundries, TSMC начала работать по 193-нм методу иммерсионной литографии на 40 нм. Данный метод будет задействован также в 28- и 20-нм техпроцессах. Для 16-нм производства рассматриваются методы двойного шаблона, EUV- и безмасочной литографии.

До недавних пор TSMC достаточно прохладно относилась к EUV, но затем изменила свое отношение на фоне неразвитости других технологий.

Компания не намерена поддерживать обе технологии – EUV- и безмасочной литографии. Некоторое время TSMC поддерживала безмасочную литографию, инвестировав в приобретение 110-лучевого 5-кэВ средства от компании Mapper Lithography, с помощью которого производилась обработка пластин вплоть до нормы 20 нм. Это опытная установка, а не полнофункциональная модель.

Недавно TSMC заказала опытную систему у ASML, которая должна быть установлена в начале 2011 г. Ее внушительная стоимость вызывает у руководства компании озабоченность.

Кроме того, TSMC выразила обеспокоенность в отношении источника питания для производства с использованием EUV-литографии. В то же время применение методов безмасочной литографии вызывает ряд затруднений, к числу которых относятся массивы данных, производительность и пр. По слухам, Mapper может потребовать еще 300 млн долл. на создание полнофункциональной производственной установки.

Какую технологию TSMC выберет для 16 нм, остается неясным. Однако если делать вывод на основе уже вложенных средств, ею станет EUV-литография.

 

Источник: EETimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *